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PRODUCT普通红外型电路
| Part No. | VDD | Inbuilt RC | ROM | RAM | I/O | Keys | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS9069 | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 0.5K*14 | 32 | 6 | 25(T-KEY) | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS3069 | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 0.5K*14 | 32 | 6 | 25(T-KEY) | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS3068 | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 6 | 25(T-KEY) | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS3068是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有ROM ，HS3068提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 32*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成25个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成16个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�240mA ，280mA ，340mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS9068 | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K*14 | 40 | 6 | 25(T-KEY) | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS9068是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有ROM ，HS9068提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 32*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成25个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成16个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�240mA ，280mA ，340mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS9060P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K*14 | 40 | 8 | 42(T-KEY) | ESSOP10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：该芯片接纳 OTP 工艺制造 ，高性能、低功耗红外发射电路 ，T-KEY 三角矩阵键盘 ，最多可组成 52 个按键。除了能实现 50 多种常用基本码型外 ，还可实现一些特殊码型。配合 HS9060P 开发软件及烧写器 ，可极大提高用户产品开发质量 ，缩短开发周期。 CPU特性：◆ 低静态电流：<2uA ◆ 事情电压规模宽：2.0V~3.6V ◆ 外部线路元器件少 ◆ 支持内置或外接三极管驱动发射头 ◆ 内置振荡电路 ，误差<=±1.5% ◆ 软件编程容易 ，开发效率高 ◆ 发码驱动 500mA（3V0.2VDD） ◆ ESSSOP10 封装 了解更多 |
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| HS9064P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K*14 | 40 | 12 | 88(T-KEY) | SOP14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS9064P是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有OTP-ROM ，HS9064P提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成88(11*10/2+11+11+11)个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成36(6*5+6)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�300mA~500mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS3000P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 0.5K*14 | 40 | 14 | 117(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS3000P是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有OTP-ROM ，HS3000P提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成91个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成49(6*7+7)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�300mA~500mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS9000P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 0.5K*14 | 40 | 14 | 117(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS9000P是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有OTP-ROM ，HS9000P提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~80℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成91个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成49(6*7+7)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�300mA~500mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS2303-P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS2303-P是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有OTP-ROM ，HS2303-P提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~70℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成20(4*4+4)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�240mA ，280mA ，340mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS2313-P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 2K*13 | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS2313-P是接纳低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机 ，它内部包括一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求 ，其中的�；の豢捎美幢苊獬绦虮欢脸� ，由于有OTP-ROM ，HS2303-P提供应用户一个便当的开发和检验他们的程序的情况�？捎米灾票嘁肫鹘凶�。 CPU特性：◆ 宽事情电压规模：2.0V~3.6V ◆ 事情温度规模：0℃~70℃ ◆ 事情频率规模：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个宁静位（代码寄存器中）�；こ绦虿槐欢脸� ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM ，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的货仓 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期 ，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时 ，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键 ◆ M-MODE型时 ，最多可形成20(4*4+4)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变革叫醒及扩电源扩REM高电平叫醒 ◆ 驱动可�。�240mA ，280mA ，340mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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